首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cxl dram

美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片

  • 12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導(dǎo)體。該機(jī)構(gòu)表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國商務(wù)部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴(kuò)建
  • 關(guān)鍵字： 美國  美光科技  生產(chǎn)芯片  半導(dǎo)體  DRAM  內(nèi)存芯片  存儲芯片  

提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

  • 摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點(diǎn)接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_(dá)成目標(biāo)性能的合格水平。相比6F2器件，4F
  • 關(guān)鍵字： 泛林集團(tuán)  DRAM  

在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利

  • DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動(dòng)能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： DRAM  TrendForce  集邦咨詢  

北京君正：21nm DRAM新工藝預(yù)計(jì)年底推出

  • 近日，北京君正在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預(yù)計(jì)21nm的今年年底會(huì)推出，20nm預(yù)計(jì)將于明年中前后推出，后續(xù)還會(huì)繼續(xù)進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費(fèi)等其他領(lǐng)域。存儲產(chǎn)品價(jià)格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場，這個(gè)市場的價(jià)格變動(dòng)特點(diǎn)和消費(fèi)類市場不同，這幾年行業(yè)市場存儲價(jià)格高點(diǎn)是2022年，2
  • 關(guān)鍵字： 北京君正  21nm  DRAM  

郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

  • 11 月 6 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報(bào)道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來成為焦點(diǎn)，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
  • 關(guān)鍵字： 郭明錤  英特爾  Lunar Lake  DRAM  CPU  封裝  AI PC  LNL  

研華新一代CXL 2.0內(nèi)存，數(shù)據(jù)中心效率大革新！

  • 2024 年 10 月，研華科技宣布推出新一代SQRAM CXL 2.0 Type 3 內(nèi)存模塊。Compute Express Link (CXL) 2.0 是內(nèi)存技術(shù)的下一代進(jìn)化產(chǎn)品，可通過高速、低延遲的互連實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展和加速，滿足大型 AI 訓(xùn)練和高性能計(jì)算集群的需求。 CXL 2.0 建立在 CXL 規(guī)范的基礎(chǔ)上，引入了內(nèi)存共享和擴(kuò)展等高級功能，使異構(gòu)計(jì)算環(huán)境中的資源利用效率更高，在當(dāng)今高性能計(jì)算領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。通過E3.S 2T規(guī)格擴(kuò)展內(nèi)存在傳統(tǒng)的內(nèi)存架構(gòu)中，固定的內(nèi)存分配常常導(dǎo)致資源利用率
  • 關(guān)鍵字： 研華  CXL 2.0  內(nèi)存模塊  

鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計(jì)算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲器
  • 關(guān)鍵字： 鎧俠  存儲技術(shù)  DRAM  MRAM  3D堆疊  

HBM對DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

  • TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
  • 關(guān)鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  

三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計(jì)算

  • 三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應(yīng)用程序的理想選擇之一。三星半導(dǎo)體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲解決方案的各個(gè)領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進(jìn)一步擴(kuò)展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機(jī)和自動(dòng)駕駛等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域之外的應(yīng)用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
  • 關(guān)鍵字： 三星  24Gb  GDDR7  DRAM  人工智能計(jì)算  

SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開源操作系統(tǒng)Linux

  • 2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優(yōu)化CXL*（Compute Express Link）存儲器運(yùn)行的自研軟件異構(gòu)存儲器軟件開發(fā)套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲器產(chǎn)品而備受矚目，公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK，其性能已獲得國際認(rèn)可，并成功應(yīng)用于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux中。這標(biāo)志著不僅是如HBM等超高性能硬件實(shí)力方面，公司的軟件競爭力也獲得廣泛認(rèn)可，具有重大意義?！蔽磥?/li>
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  CXL  Linux  

TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

  • 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
  • 關(guān)鍵字： TrendForce  內(nèi)存  DRAM  

SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展。”公司以1b DRAM
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  第六代  10納米級  DDR5 DRAM  

第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收達(dá)229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預(yù)估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價(jià)漲幅將高于先前預(yù)期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價(jià)方面，三大廠延續(xù)第一季合約價(jià)上漲情勢，加上臺灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
  • 關(guān)鍵字： DRAM  TrendForce  集邦咨詢  

imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

  • 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
  • 關(guān)鍵字： imec  High-NA  EUV  DRAM  

外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM

  • 8月7日消息，隨著移動(dòng)設(shè)備功能的不斷增強(qiáng)，對內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報(bào)道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項(xiàng)，專為低功耗RAM市場設(shè)計(jì)，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機(jī)。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計(jì)，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
  • 關(guān)鍵字： 三星  手機(jī)芯片  LPDDR5X DRAM  
共1839條 1/123 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

cxl dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cxl dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473